Eigenschaften automatische Identifizierung der Komponenten automatische Identifizierung der
Pinbelegung Identifiezierung von Spezialfunktionen wie Schutzdioden und Nebenwiderständen
bipolare Transistoren: Verstärkungsmessung und Messung des Leckstromes Erkennung von Silizium
und Germanium Gate-Threshold-Spannungsmessung für Anreicherungs-Typ-MOSFETs Messung von
Halbleiter-Vorwärtsspannung bei Dioden LEDs und Transistoren (Basis-Emitter) automatische und
manuelle Abschaltung Technische Daten Kurzschluss-Teststrom (Isc): -5.5mA ~ 5.5mA
Spitzenspannung offener Spannung (Voc): -5.1V ~ 5.1V Transistor: Verstärkungsbereich (Hfe): 4 ~
65000 Verstärkungsgenauigkeit: ±3% ±5 Hfe Vceo-Testspannung: 2.0V ~ 3.0V Vbe-Genauigkeit:
-2%-20mV ~ +2%+20mV VBE für Darlington (shunted): 0.95V ~ 1.80V (0.75V ~ 1.80V) Basis-Emitter
Shunt Threshold: 50kOhm ~ 70kOhm BJT-Kollektorteststrom: 2.45mA ~ 2.55mA akzeptabler
BJT-Leckstrom: 0.7mA MOSFET: Gate-Threshold-Bereich: 0.1V ~ 5.0V Treshold-Genauigkeit:
