Um Kosten zu reduzieren und marktfähig bleiben zu können geht auch in der Anwendung von
selbstgeführten Energiewandlern der Trend hin zur Miniaturisierung. Vor allem kleinere Gehäuse
und Kühlkörper sowie kleinere Drosseln und Filterelemente können den Materialeinsatz erheblich
reduzieren und die Kosten senken. Dies führt dazu dass bei gleichbleibender Performance die
Leistungsdichte des gesamten Produktes maximiert werden muss. Durch den Einsatz von
effektiveren Bauelementen kann dies erreicht werden. Zudem können beispielsweise durch höherer
Taktfrequenzen Drosseln und Filterelemente kleiner dimensioniert werden. Die aktuelle Aufbau-
und Verbindungstechnik (AVT) stößt bei der Lösung dieser Herausforderungen jedoch an ihre
Grenzen weswegen neue Ansätze erforderlich sind. Ein neuer Ansatz in der Leistungselektronik
ist die Einbettung von Bauelementen in die Leiterplatte. Im Rahmen dieser Arbeit wurde diese
Technologie mit neuen Siliziumcarbid Leistungshalbleiterschaltern untersucht und mit der
konventionellen diskreten AVT verglichen. Zudem wurden die Einflüsse ultraschneller
Schaltvorgänge sowie von parasitären Elementen auf die Peripherie untersucht.
