Ziel dieser Arbeit war es eine Korrelation der Siliciumcarbid (SiC) Materialqualität mit
Ausfallmechanismen leistungselektronischer 4H-SiC Trench-MOSFET Bauelemente herzustellen. Dafür
wurden homo-epitaktische n-leitende SiC-Schichten abgeschieden. Diese Schichten wurden
anschließend mit konfokaler DIC-Mikroskopie und UV-PL Methoden hinsichtlich ihrer Defekte
charakterisiert. Die so charakterisierten Epitaxie-Wafer wurden zur Herstellung von
leistungselektronischen Trench-MOSFET Bauelementen verwendet. Nach der Prozessierung wurden die
Bauelemente elektrisch charakterisiert. Elektrische Ausbeute-Maps wurden anschließend mit den
während der Prozessierung aufgenommenen Defektdaten überlagert und mit entsprechenden
Defektklassen abgeglichen. Abschließende Untersuchungen an diesen charakterisierten
Bauelementen dienten zur Analyse der Langzeitstabilität und Zuverlässigkeit.
