Mit Nanoelektronik neue technologische Herausforderungen meistern Durch die stetig wachsende
Integrationsdichte mikroelektronischer Schaltungen werden heute Strukturgrößen von wenigen
Nanometern hergestellt. Damit verbunden treten Effekte in Erscheinung die vor einigen
Technologiegenerationen noch vernachlässigt werden konnten. Diese Effekte beschränken die
weitere Miniaturisierung des klassischen Transistors als wichtigstes Schaltelement.
Andererseits können diese quantenmechanischen Effekte aber auch genutzt werden um damit
Transistorstrukturen zu realisieren die auf neuartigen Prinzipien beruhen. Das Lehrbuch führt
zunächst in die Grundlagen der Halbleiterphysik ein und behandelt insbesondere auch die Effekte
die in Nanostrukturbauelementen zur Anwendung kommen. Es werden klassische Bauelemente wie
Diode Bipolartransistor und Single-Gate-MOSFET vorgestellt. Anschließend stehen besondere
Nanostruktur-MOSFETs im Vordergrund und deren elektrische Eigenschaften in Zusammenhang mit den
vorher erarbeiteten Grundlagen werden erklärt. Das Buch bietet zu allen Kapiteln
Rechenbeispiele zur Vertiefung und einen Fragenkatalog zur Prüfung des Verständnisses.
Weiterhin wird auf eine Online-Simulationsplattform (nanohub.org kostenfrei nach
Registrierung) verwiesen welche sich als Sammelbecken verschiedenster Simulatoren auf
unterschiedlichem Abstraktionsniveau etabliert hat.