Halbleiterlaser sind für vielfältige Anwendungen in vielen Wellenlängen kommerziell verfügbar.
Im tiefen UV mit Wellenlängen 10 MW cm² dafür aber auch die kürzeste bisher demonstrierte
Emissionswellenlänge im verwendeten Materialsystem. Im weiteren Verlauf der Arbeit werden die
Einflüsse von Quantenfilmdicke und -anzahl Substratfehlschnitt und Siliziumdotierung in
verschiedenen Schichten auf die Laserschwellen sowie die interne Quanteneffizienz untersucht.
Es zeigt sich dass eine geringere Quantenfilmanzahl die nichtstrahlende Rekombination an
Heterogrenzflächen verringert und dass Silizium in Abhängigkeit von der Dotierkonzentration die
Dichte der Gruppe-III-Vakanzen sowie die Häufigkeit von Bandlückenfluktuationen beeinflusst.
Dank der dabei gewonnenen Erkenntnisse konnten die Laserschwellen auf < 1 MW cm² mit einem
Bestwert von 640 kW cm² reduziert werden.
